製品紹介

Ta10W プレートの応用価値がこれほど高いのはなぜですか?

それは、その組成設計と高度な製造プロセスにより、個々の金属の利点を維持するだけでなく、合金による性能のブレークスルーを達成できるからです。

組成に関して、この製品のタンタル含有量は 89.5% 以上であり、タングステン含有量は 9.5% ～ 10.5% に厳密に管理されています。材料の高温強度と硬度は、固溶強化メカニズムによって大幅に向上します。-同時に、酸素（0.03%以下）、炭素（0.02%以下）、窒素（0.01%以下）などの不純物の含有量を厳密に管理し、不純物が半導体デバイスの性能に悪影響を及ぼさないようにしています。

技術面では、真空アーク溶解技術を使用してガス不純物を除去し、マルチパス精密圧延を使用して板厚の均一性を確保しています。{0}最後に、真空アニーリング処理によって粒子を微細化し、高い強度と優れたプラスチック靭性を兼ね備えています。伸びは 20% 以上に達することがあり、脆性破壊を起こしにくいです。

重要な性能の点で、Ta10W プレートには多くの利点があります。高温安定性の点では、融点は 3020 度もあり、1600 度の高温環境でも構造安定性を維持できます。-優れた耐クリープ性を備えており、半導体製造における高温プロセス負荷に長期間耐えることができます。{6}耐食性の点では、塩酸、硝酸、王水、半導体プロセスで一般的な有機酸などの腐食性媒体に対して強い耐性を示します。加工性能に関しては冷間加工性が良好で、表面粗さはRa0.8μmに管理されています。以下は、半導体デバイスの組立精度要求を満たします。さらに、その高密度 (16.6 ～ 16.8 g/cm3) により優れた放射線遮蔽能力が得られ、その低中性子吸収特性も半導体イオン注入プロセスにおいて独特の利点をもたらします。

製品説明

製品名	Ta10w タンタルプレート
密度	16.6~16.8g/cm3
融点	3000~3080度
長さ	50〜3000mm、カスタマイズされた
幅	50〜800mm、カスタマイズされた
厚さ	0.5~20mm、カスタマイズされた
厚さの許容差	±0.05mm
抗張力	550MPa以上
降伏強さ	379MPa以上
伸長	20%以上

製品用途

Ta10W プレートは、その総合的な性能上の利点により、半導体業界で広範かつ主要な用途に使用され、ウェーハ製造からデバイスのパッケージングまでの複数のコアリンクをカバーしています。

スパッタリングターゲットフィールド

Ta10W板は、半導体薄膜成膜用のコア材料として、円形（直径20～400mm）または四角形（幅10～1000mm）のスパッタリングターゲットに加工でき、半導体デバイスのバリア層や電極層などの重要な膜の作製に使用されます。その高密度特性により、スパッタリングプロセス中に十分な原子運動エネルギーが確保され、形成された膜は緻密で欠陥がありません。-優れた電気伝導性と熱伝導性により、スパッタリングプロセスの安定性が確保され、ターゲットの過熱や亀裂のリスクが軽減されます。高純度で不純物含有量が低いため、膜汚染が回避され、半導体デバイスの電気的性能と信頼性が向上し、ロジックチップ、メモリチップ、パワー半導体などの製造に広く使用されています。

高温プロセスコンポーネント

半導体ウェーハのイオン注入や高温アニーリングなどのプロセスでは、るつぼ、ボート、発熱体ブラケット、その他のコンポーネントの製造に Ta10W プレートが使用されます。{0} 3000 度を超える極度の高温環境でも構造の安定性を維持でき、高温によって軟化したり変形したりしません。{3}また、耐食性にも優れており、各種腐食性ガスや化学試薬に対して侵食されず、ウェーハ処理の歩留まりが向上します。さらに、熱膨張係数が低いため、高温と低温のサイクルを繰り返してもコンポーネントの寸法が安定し、コンポーネントの耐用年数が長くなります。

真空および腐食性環境コンポーネント

半導体製造は主に高真空および腐食性の高い環境で行われます。 Ta10W プレートは、真空チャンバーのライニング、パイプ、バルブ、シールなどの主要コンポーネントの製造に使用できます。優れた真空適合性と気密性により、プロセス環境内で高真空を効果的に維持できます。塩酸、硝酸、王水などの腐食性媒体に耐えることができるため、ウェットエッチングや洗浄などのプロセス装置に不可欠です。従来の耐食性材料に代わるものであり、機器のメンテナンスコストとダウンタイムのリスクを軽減できます。-