タングステンるつぼ

製品の特長

機能詳細

高熱を使用する産業では、タングステンるつぼは非常に重要です。それらは本当にうまく機能します。以前は、これらは独自の技術を使用して非常に純粋なタングステン粉末から作られていました。これらのカップは耐久性があり、非常に熱い場合でも優れたパフォーマンスを発揮します。これにより、特定の宝石の栽培や特定の物質の液化などの高度な分野での作業を非常に正確に行うことができます。

高温耐性

タングステンるつぼは非常に高い温度 (3422 度で溶けます) を管理でき、カーボン (高温になると突然ガスになります)、陶器 (1500 - 1800 度付近で可鍛性が高まります)、および一般的な貴金属 (2200 度まで安全に機能します) に比べて大幅に優れています。

耐食性

また、対腐食剤やアルカリにも耐性があります。-一方、その後、大気中での腐食を防ぐために防御コーティングを作成します。最終的に、エネルギーを伝達する能力は熱いときでも効果を維持するため、物体の熱エネルギーは均一に分散され、より効果的に機能します。また、堅牢性と耐久性に優れているため、急激な温度変化によっても簡単に割れることはありません。陶器とは異なり、柔軟性のあるものに亀裂が入ったり、黒くなったりする可能性のあるバリエーション。

Tungsten Crucible High temperature resistant

製品パラメータ

特定のインデックス	技術要件/範囲
タングステン粉末の純度	99.95% 以上
タングステン粉末の粒子サイズ	2.5μm - 3.0μm
タングステン粉末のタップ密度	2.8g/cm3 - 3.2g/cm3
酸素含有量	0.1%以下
静水圧加圧圧力	245MPa- 260MPa
焼結温度	2200 度 - 2250 度
モールドテーパ	離型要件に適応
ラテックススリーブ仕様	内径はコアモールドよりも6mm - 10mm大きい。厚さ 2mm - 4mm
熱伝導率	高温でも安定した熱伝導率
構造の完全性	底部と壁の間のアーク遷移、応力集中領域なし

アプリケーションの利点

サファイア単結晶育成

Sapphire crystal production (2050°C Al₂O₃ melting) relies on tungsten-molybdenum thermal fields, with tungsten crucibles as core components. Since 2008, the company has supplied Kyropoulos method thermal fields globally with positive feedback. Advanced equipment ensures crucible density >18.6 g/cm3 で、粒子の均一性と耐用年数が向上します。

半導体材料の準備

タングステンるつぼは、シリコンおよび化合物半導体の成長に使用されます。低い蒸気圧と化学的不活性により高純度の環境が保証され、-高い耐熱性（2000 度以上）は GaN PVD および SiC 昇華成長の要件を満たします。-

レーザー結晶の準備

タングステンるつぼは、均一な温度分布と高い熱伝導率によって高品質のレーザー結晶成長（例: YAG）を促進し、正確な高温制御をサポートします。-